产品描述
产品简介
在所有金属中钨的熔点最高，而蒸汽压最低，在超高温、高真空技术及其相关行业，钨是理想的材料。
热膨胀系数小，与 Si, GaN, GaAs, Al2O3, 玻璃等匹配良好,熔点高以及高温下稳定，钨是半导体封装密封最适合的材料。
钨的比电阻比其他发热体材料低，但会随着温度的升高而增加。该电阻特性对于其在高温炉结构件中的应用特别重要。
由于其所具有的高密度，钨及钨合金对于射线具有较高的吸收能力。用于x射线和γ射线的吸收材料是以镍-铁或镍铜作为粘接相的高钨含量的钨合金，且该合金易于加工。
产品特性
密度：19.3g/cm3
熔点：3410℃
线膨胀系数：4.67*10-6/K
导热率：167 W/(M.K)
产品用途
半导体基板，电子管栅极、阳极，无源冷却装置散热器，电容器烧结舟和杯，x-射线靶及其紧固件、固定式阳极、探测器部件、准直仪、屏蔽罩、容器及配件。
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